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我国科学家开创第三类存储技术
2018-04-12 07:37:46 来源：新华网 作者：
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极光新闻
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。新华社记者丁汀摄
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